基于GaN器件的半桥式固态射频电源应用研究

作     者：谭平平 桂成东 姜力铭 陈文光 TAN Pingping;GUI Chengdong;JIANG Liming;CHEN Wenguang

作者机构：南华大学电气工程学院湖南衡阳421001 

出 版 物：《南华大学学报（自然科学版）》 (Journal of University of South China：Science and Technology)

年 卷 期：2019年第33卷第2期

页      码：49-54,60页

摘      要：随着电力电子行业的发展,射频电源对高效率、轻量化的要求逐渐提高。硅(Si)材料的理论极限,约束了Si功率器件在高频、高压及大功率等场所的应用。基于氮化镓(GaN)半导体材料制备的功率器件与Si器件相比,具有导通阻抗低、输入输出电容小等特性。基于这些特性,采用GaN管设计制作了一款开关频率为2 MHz的半桥式固态射频电源样机。通过电路的设计和优化,样机输出2 MHz的标准正弦波。样机的输出功率为14.9 W时,效率可达到95.5%,功率密度可达到78.9×10-3W/cm3。同时,采用专为射频电源生产的Si功率器件替换掉样机上的GaN器件,验证了GaN器件与Si器件相比,可大幅度提高半桥式固态射频电源的整机效率和功率密度。

主 题 词：射频电源 GaN功率器件 半桥变换器 开关电源 

学科分类：0810[工学-土木类] 080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 081001[081001] 

D　O　I：10.19431/j.cnki.1673-0062.2019.02.008

馆 藏 号：203666352...