基于65 nm工艺的双模自适应连续时间线性均衡器设计

作     者：周云波 杨煜 ZHOU Yunbo;YANG Yu

作者机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072 无锡中微亿芯有限公司江苏无锡214072 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2019年第39卷第2期

页      码：138-143,149页

摘      要：描述了一种双模自适应连续时间线性均衡器(CTLE)的结构和电路设计。提出了一种结合HF-Boost、DC-Degeneration模式的双模CTLE,在5 Gb/s数据速率下提供最大的14 dB信道损耗补偿能力。该CTLE能够手动调节,也能进行基于二维眼图监视器算法的完全自适应调节。给出了均衡器电路的晶体管级设计和自适应算法引擎的模块级设计,并给出了仿真和测试结果。芯片采用65 nm高性能CMOS工艺制作,低剖面四边形平面封装。

主 题 词：双模 自适应 连续时间线性均衡器 2D眼图监控 

学科分类：080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.02.013

馆 藏 号：203667663...