改进的磁元件圆导线绕组高频损耗模型

作     者：柳百毅 陈为 LIU Baiyi;CHEN Wei

作者机构：福州大学电气工程与自动化学院福建省福州市350108 

基　　金：国家自然科学基金项目(51777036)~~ 

出 版 物：《中国电机工程学报》 (Proceedings of the CSEE)

年 卷 期：2019年第39卷第9期

页      码：2795-2803页

摘      要：绕组损耗是磁性元件设计的关键,传统计算绕组高频涡流损耗的理论方法有Dowell模型和Bessel函数。随着功率变换器工作频率的提高以及多股绞线的应用,这些方法将带来很大的误差。通过深入分析涡流的集肤和邻近效应在圆导体上所产生的电流密度分布特性,提出一种改进的绕组高频损耗模型,能够更精确地计算高频下圆导体绕组的损耗。通过有限元仿真和样品测试验证了所提出模型的精度。

主 题 词：邻近效应 集肤效应 绕组损耗 圆导体 模型 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.13334/j.0258-8013.pcsee.172164

馆 藏 号：203668200...