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Zara Domain不良的研究与改善

Zara Domain不良的研究与改善

作     者:左爱翠 高荣荣 陈维诚 滕玲 岳麓 汤列金 ZUO Ai-cui;GAO Rong-rong;CHEN Wei-cheng;TENG Ling;YUE Lu;TANG Lie-jin

作者机构:合肥京东方光电科技有限公司Cell分厂安徽合肥230012 

出 版 物:《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期:2019年第34卷第3期

页      码:267-272页

摘      要:Zara Domain是TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)行业TN型产品中常见的不良,严重影响着产品的良率。本文通过对101.3mm(3.97in)TN产品的大量实验,系统分析和研究了Zara Domain问题。研究结果表明:优化产品设计、工艺参数、工艺管控都可有效地管控Zara Domain的发生率。首先通过调控矩阵工厂刻蚀工艺,确保Shield Bar坡度角保持在45°左右时,Zara Domain发生率为0%。其次在盒工厂摩擦工艺段,也可通过调控摩擦滚轮的摩擦强度值来提高摩擦后配向能力的均一性来降低Zara Domain的发生率。实验发现当摩擦强度值保持在2.3N·m时,Zara Domain的发生率<1%。另外通过改善对盒过程中高温固化的冷却工艺,在设备上方增加空调扇,加速冷却,也可使Zara Domain的发生率<1%。本文通过对101.3mm(3.97in)TN产品系统的研究,有望为解决Zara Domain不良提供一定的技术支持。

主 题 词:Zara Domain 配向膜 配向弱区 急速冷却 

学科分类:0810[工学-土木类] 0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录:

D O I:10.3788/YJYXS20193403.0267

馆 藏 号:203669083...

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