双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真

作     者：李晓 张瑞英 郭春扬 赵岳 Li Xiao;Zhang Ruiying;Guo Chunyang;Zhao Yue

作者机构：上海大学材料科学与工程学院上海200444 中国科学院多功能材料与轻巧系统重点实验室江苏苏州215000 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51202284) 江苏省重点研发计划--产业前瞻与共性关键技术资助项目(BE2016083) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2019年第44卷第5期

页      码：356-361,373页

摘      要：采用二维有限元法(FEM)模拟了激射波长为1 550 nm的InGaAsP/InGaAsP多量子阱(MQW)双沟道脊波导(DCRW)激光器的热分布,系统研究了钝化层材料、沟道宽度、Au层厚度和石墨烯填充对激光器散热的影响。模拟结果表明,上述参数均对激光器的有源区温度和热分布产生影响。当没有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度减少而提高;当有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度和石墨烯厚度增加而提高。采用AlN钝化层、Au层加厚和石墨烯填充优化的激光器结构,其温升比传统结构激光器的温升低6℃。该结果为设计制备InGaAsP/InGaAsP激光器改善其散热性能提供指导,可为其他InP基光子集成回路改善热性能提供参考。

主 题 词：温升 InGaAsP/InGaAsP多量子阱(MQW) 双沟道 脊型 半导体激光器 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.006

馆 藏 号：203669227...