n型双面TOPCon太阳电池钝化技术

作     者：于波 史金超 李锋 庞龙 刘克铭 于威 Yu Bo;Shi Jinchao;Li Feng;Pang Long;Liu Keming;Yu Wei

作者机构：河北大学物理科学与技术学院河北保定071000 英利能源(中国)有限公司光伏材料与技术国家重点实验室河北保定071051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2019年第44卷第5期

页      码：368-373页

摘      要：隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了全面积SiO_2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收,仅将SiO_2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部。J-V特性和少子寿命等分析显示,双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能,其开路电压和短路电流密度显著增加。所制备的面积为239 cm^2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33%,相对正面无SiO_2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散(PERT)结构的太阳电池转换效率提升了0.29%。

主 题 词：隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池 选择性钝化接触 隧穿氧化层 多晶硅 双面太阳电池 

学科分类：08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.008

馆 藏 号：203670004...