多断口真空开关不平衡磁场计算与优化

作     者：葛国伟 程显 张鹏浩 廖敏夫 卢刚 GE Guowei;CHENG Xian;ZHANG Penghao;LIAO Minfu;LU Gang

作者机构：郑州大学电气工程学院郑州450000 河南省输配电装备与电气绝缘工程技术研究中心郑州450001 大连理工大学电气工程学院大连116023 

基　　金：国家自然科学基金(51407163 51477024 51777025) 中国博士后科学基金(2017M622370) 河南省高校重点科研项目(16A470014 19A470008)~~ 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2019年第45卷第5期

页      码：1535-1541页

摘      要：为研究多断口真空开关不平衡磁场分布及影响,首先引入了多断口真空开关磁偏弧的概念,并分析多断口真空开关串联电弧及连接部分对各个断口磁场分布的影响,使其失去对称性,存在不平衡磁场。然后建立了不同布置方式下的双断口真空开关磁场模型,得到了不同布置方式情况下的磁场分布。最后通过双断口真空开关磁场数据与单个真空开关的磁场数据进行矢量计算,得到了双断口真空开关连接布置方式及串联电弧间相互影响引起的不平衡磁场的影响规律。仿真结果表明在双断口真空开关不同布置、不同距离情况下,在电流为10 kA时,不平衡磁感应强度<30 mT,随着距离的增加,不平衡磁感应强度减小,并可知铜屏蔽罩外围进行导磁材料涂层可以有效抑制不平衡磁场。该研究得到了多断口真空开关不平衡磁场的分布及优化措施,为多断口真空开关布置方式及紧凑型优化设计提供了参考依据。

主 题 词：多断口真空开关 不平衡磁场 磁场分布 磁偏弧 磁屏蔽 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 

核心收录：

D　O　I：10.13336/j.1003-6520.hve.20180619005

馆 藏 号：203670237...