悬浮栅结构ISFET动态特性的HSPICE仿真

作     者：屈岚 汪祖民 韩泾鸿 任振兴 夏善红 Qu Lan;WANG Zu-min;HAN Jing-hong;REN Zhen-xing;XIA Shan-hong

作者机构：中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90307014) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2007年第44卷第7期

页      码：363-366页

摘      要：通过对ISFET敏感机理的理论分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE动态行为模型,对ISFET器件的动态特性进行仿真得到时间响应曲线,并探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等不理想因素的关系,为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供理论指导。

主 题 词：离子敏场效应管 HSPICE 动态特性 悬浮栅 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.114

馆 藏 号：203671113...