基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能
作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室 Graduate School of Chinese Academy of Sciences
基 金：国家973计划(2006CB302700) 国家高技术研究发展计划(2006AA03Z360) 中国科学院(Y2005027) 上海科学技术委员会(05JC14076 0552nm043 AM0517 06QA14060 06XD14025 0652nm003 06DZ22017)资助
出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)
年 卷 期：2008年第14卷第3期
页 码：609-613页
摘 要：采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度。
主 题 词：Sn掺杂 Ge2Sb2Te5 相变存储器 器件单元 存储性能
学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502]
D O I：10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.009
馆 藏 号：203671350...
