非晶Si/SiO_2超晶格结构的交流电致发光

作     者：孙甲明 钟国柱 范希武 SUN Jia-ming;ZHONG Guo-zhu;FAN Xi-wu

作者机构：中国科学院激发态物理开放研究实验室 中国科学院长春物理研究所吉林长春130021 

基　　金：国家高技术"863"材料委员会资助 国家自然科学重大基金资助项目!(批准号 698962 60 ) 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2000年第21卷第1期

页      码：24-28页

摘      要：设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气 ,便交替地得到 Si O2 和 Si膜。衬底在靶前往返平移 ,改变平移的速度或者改变溅射的功率 ,可以控制膜的厚度。通过透射电镜的照片可以看出 Si O2 和 Si膜具有均匀的周期结构 ,用低角 X-射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表明 ,光学吸收边随 Si层厚度的减小向短波方向移动 ;从退火前和退火后样品的喇曼光谱的变化可判断硅量子点的存在及其尺寸。利用双绝缘层的交流电致发光器件结构 ,首次获得非晶 Si/Si O2 超晶格的蓝绿色电致发光 ,在发射光谱中存在几个分立的发光谱带 ,随 Si层厚度的减小 ,短波发光谱带的相对强度增加。

主 题 词：超晶格 电致发光 硅量子点 

学科分类：080903[080903] 07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1000-7032.2000.01.006

馆 藏 号：203673578...