RESURF技术中LDMOS外延层单位面积杂质密度研究

作     者：安达露 鲍嘉明 AN Da-lu;BAO Jia-ming

作者机构：北方工业大学电子信息工程学院微电子学系北京100144 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2016年第24卷第5期

页      码：169-171,174页

摘      要：LDMOS器件设计中,常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件,围绕当获得最优的器件结构时,其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究,给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析,发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终,通过综合分析影响器件的关键因素,得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。

主 题 词：LDMOS RESURF 衬底掺杂浓度 外延层单位面积杂质密度 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14022/j.cnki.dzsjgc.2016.06.049

馆 藏 号：203674888...