AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文)

作     者：陆敏 方慧智 张国义 Lu Min;Fang Huizhi;ZHANG Guoyi

作者机构：北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室 

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 2和 60 2 760 3 4) 国家高技术研究发展计划 (批准号:2 0 0 1AA3 13 110,2 0 0 1AA3 13 0 60和2 0 0 1AA3 13 14 0 )资助项目~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2004年第25卷第5期

页      码：492-496页

摘      要：采用一维传递矩阵法模拟计算了 Al Ga N/Ga N/In Ga N对称分别限制多量子阱激光器 (发射波长为 396 .6 nm)的波导特性 .以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量 ,获得激光器的优化结构参数为 :3周期量子阱In0 .0 2 Ga0 .98N/In0 .1 5Ga0 .85N(10 .5 nm/3.5 nm)作为有源层 ,90 nm In0 .1 Ga0 .9N为波导层 ,12 0周期 Al0 .2 5Ga0 .75N/Ga N(2 .5 nm /2 .5 nm )

主 题 词：AlGaN/GaN/InGaN MQW SCH 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.003

馆 藏 号：203675538...