面向中高频应用的3300 V IGBT/FRD设计与制造

作     者：谭灿健 丁杰 黄建伟 罗海辉 TAN Can-jian;DING Jie;HUANG Jian-wei;LUO Hai-hui

作者机构：株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2019年第53卷第5期

页      码：129-131页

摘      要：为满足中高频大功率市场对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和高速恢复二极管(FRD)芯片的需求,通过对IGBT的元胞结构采用背面集电极发射效率控制和局部少子寿命控制技术,在导电压降少量增加的前提下,使关断损耗下降了30%,从而提高关断速度;对IGBT的终端结构采用新型钝化技术,大幅降低了漏电流,有利于提高开关速度;对FRD采用全局和局部寿命控制技术,降低了高温反向漏电流,同时满足软反向恢复的要求,提高器件的可靠性。在已有量产8英寸IGBT DMOS+技术平台上,设计和制造了满足中高频应用的3300 V IGBT和FRD芯片组。

主 题 词：中高频 绝缘栅双极晶体管 快恢复二极管 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203677959...