结构因素对平板裂缝天线辐射单元电性能的影响

作     者：严志坚 YAN Zhi-jian

作者机构：中国西南电子技术研究所成都610036 

基　　金：国家安全重大基础研究计划(973计划)项目 

出 版 物：《电讯技术》 (Telecommunication Engineering)

年 卷 期：2009年第49卷第6期

页      码：36-40页

摘      要：通过正交试验设计和电磁场数值仿真,研究了平板裂缝天线的主要功能构件辐射单元的结构公差对电性能的影响权重关系,建立了辐射单元各结构参数与电性能之间的神经网络模型,分析了缝宽、波导壁厚、缝偏置和缝长对幅度的影响,为平板裂缝天线的设计提供一定的指导作用。

主 题 词：平板裂缝天线 神经网络 实验设计 电性能 

学科分类：080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-893x.2009.06.009

馆 藏 号：203678867...