CMOS全差分超宽带低噪声放大器

作     者：罗志勇 李巍 李宁 杨光 任俊彦 LUO Zhiyong;LI Wei;LI Ning;YANG Guang;REN Junyan

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

基　　金：国家部级十一五项目(No.51308020403 No.51408060905-jW0702) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2008年第28卷第4期

页      码：554-558页

摘      要：文中给出了一个应用于超宽带射频接收机中的全集成低噪声放大器,该低噪声放大器采用了电阻并联负反馈与源极退化电感技术的结合,为全差分结构,在Jazz0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为1.08mm2,射频端ESD抗击穿电压为1.4kV。测试结果表明,在1.8V电源电压下,该LNA的工作频带为3.1～4.7GHz,功耗为14.9mW,噪声系数(NF)为1.91～3.24dB,输入三阶交调量(IIP3)为-8dBm。

主 题 词：互补金属氧化物半导体 超宽带 低噪声放大器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2008.04.019

馆 藏 号：203679253...