与Si CMOS兼容的Graphene/MoS2异质结全差分光电探测器和读出电路

作     者：胡跃文 谢生 叶崇光 周高磊 毛陆虹 HU Yue-wen;XIE Sheng;YE Chong-guang;ZHOU Gao-lei;MAO Lu-hong

作者机构：天津大学电气自动化与信息工程学院天津300072 天津大学微电子学院天津300072 

基　　金：集成光电子学国家重点实验室开放课题(IOSKL2017KF07)资助项目 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2019年第30卷第4期

页      码：347-352页

摘      要：提出了一种基于Graphene/MoS2异质结的全差分光电探测器。利用标准半导体微纳加工技术,制作了有效区域为2.3μm×10μm的Graphene/MoS2异质结结构,用以产生差分光电流;使用0.18μmCMOS工艺设计了差分放大与恒压控制电路,实现光电流到电压的转换和放大。结果表明:在白光照射下,单个Graphene/MoS2异质结结构光响应度达2435A/W。差分光生电流经过差分放大器后,以电压形式输出,总光响应度加倍。该全差分光探测器基于新型二维材料,对可见光具有较高的灵敏度,在可见光探测和成像领域具有广阔的应用前景。

主 题 词：Graphene/MoS2异质结 二维材料 全差分光电探测电路 光响应度 

学科分类：0808[工学-自动化类] 070207[070207] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.16136/j.joel.2019.04.0284

馆 藏 号：203680590...