基于功率MOS线性高压放大器设计
作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州730000
出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)
年 卷 期：2010年第33卷第2期
页 码：10-11,14页
摘 要：为了实现对输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0~5 V时,电路可实现0~50 V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140^+140 V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义。
主 题 词：功率MOSFET 线性高压 运算放大器 功率驱动
学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学]
D O I：10.16652/j.issn.1004-373x.2010.02.013
馆 藏 号：203680869...
