三维功率MOSFET器件的热可靠性设计

作     者：林洁馨 杨发顺 马奎 丁召 傅兴华 LIN Jiexin;YANG Fashun;MA Kui;DING Zhao;FU Xinghua

作者机构：贵州大学大数据与信息工程学院 

基　　金：国家自然科学基金地区科学基金项目(61664004)~~ 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2019年第42卷第12期

页      码：81-85页

摘      要：基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性。以100V,60A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了三维功率MOSFET器件的版图和散热硅通孔的布局。基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性。

主 题 词：热可靠性设计 MOSFET 三维集成技术 功率器件 硅通孔布局 散热 热阻降低 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2019.12.019

馆 藏 号：203680892...