GaN基电力电子器件关键技术的进展

作     者：彭韬玮 王霄 敖金平 PENG Taowei;WANG Xiao;AO Jinping

作者机构：西安电子科技大学微电子学院 

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JB181110)~~ 

出 版 物：《电源学报》 (Journal of Power Supply)

年 卷 期：2019年第17卷第3期

页      码：4-15页

摘      要：氮化镓GaN(gallium nitride)材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中。目前,GaN功率电子器件技术方案主要分为Si衬底上横向结构器件和GaN自支撑衬底上垂直结构器件2种。其中,横向结构器件由于制造成本低且有良好的互补金属-氧化物-半导体CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)工艺兼容性已逐步实现产业化,但是存在材料缺陷多、常关型难实现、高耐压困难以及电流崩塌效应等问题;垂直结构器件能够在不增大芯片尺寸的条件下实现高击穿电压,具有非常广阔的市场前景,也面临着材料生长、器件结构设计和可靠性等方面的挑战。基于此,主要针对这两种器件综述介绍并进行了展望。

主 题 词：氮化镓(GaN) GaN横向器件 GaN垂直器件 

学科分类：080903[080903] 07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.4

馆 藏 号：203680985...