基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

作     者：姚盛秾 韩金刚 李霞光 范辉 汤天浩 YAO Shengnong;HAN Jingang;LI Xiaguang;FAN Hui;TANG Tianhao

作者机构：上海海事大学物流工程学院上海201306 上海电机学院电气学院上海201306 中国电源学会 

出 版 物：《电源学报》 (Journal of Power Supply)

年 卷 期：2019年第17卷第3期

页      码：83-90页

摘      要：较之于传统硅器件,新出现的增强型氮化镓晶体管GaN HEMTs(gallium nitride high electron mobility transistors)具有很高的开关速度和高功率密度的特性,可以为直流变换器提供有效的改进。为了解决GaN HEMT在硬开关应用场合下的波形振荡并提高功率密度和效率,采用半桥LLC谐振变换器为本次应用的拓扑结构。以减小损耗为目的,优化了LLC的谐振参数和死区时间。在400 V输入电压、开关频率300 kHz和输出电压18 V电流12 A的测试条件下,效率达到95.59%。最后对变换器的损耗来源进行分析,损耗的理论计算值接近实际测量值,证明了方法具有一定的实用性。

主 题 词：增强型氮化镓晶体管(GaN HEMT) 半桥LLC 软开关 损耗分析 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.83

馆 藏 号：203681288...