一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法

作     者：曹全君 张义门 张玉明 Cao Quanjun;Zhang Yimen;Zhang Yuming

作者机构：西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071 

出 版 物：《电子科技》 (Electronic Science and Technology)

年 卷 期：2005年第18卷第8期

页      码：14-17页

摘      要：提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法。该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳态分析法和高频小信号等效电路,模拟得到电流和电容的非线性特性,通过大信号等效电路,分析了建立4H-SiC MESFET大信号模型的途径。模拟与实验测试值的比较表明这种方法是可行的,可用于预先评估器件大信号工作时的非线性特性,指导4H-SiC MESFET的器件设计。

主 题 词：4H-SiC MESFET 大信号模型 射频 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-7820.2005.08.004

馆 藏 号：203685814...