抗辐射加固集成电路的设计

作     者：王士秀 Wang Shixiu(Northeast Microelectronics Institute,Ministry of Electronics Industry. Shenyang 110032)

作者机构：电子工业部东北微电子研究所沈阳110032 

出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)

年 卷 期：1996年第17卷第2期

页      码：19-21页

摘      要：本文叙述了CMOS集成电路的辐射损伤机理，并给出抗辐射加固集成电路的设计方法。

主 题 词：集成电路 抗辐射 设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203686043...