平面工艺IGBT制作及导通压降的PIN模型计算

作     者：袁寿财 刘亚媚 YUAN Shoucai;LIU Yamei

作者机构：赣南师范学院物理与电子信息学院江西赣州341000 

基　　金：江西省教育厅基金资助项目(GJJ08380) 江西省自然科学基金资助项目(资助项目2008GZH0018) 

出 版 物：《西南交通大学学报》 (Journal of Southwest Jiaotong University)

年 卷 期：2009年第44卷第5期

页      码：648-653页

摘      要：以硅平面工艺生产设备为基础，设计制作了基于外延衬底的IGBT器件，器件的实测输出电流-电压特性良好，阈值电压在3．7～4．8V之间．将制作IGBT器件的结构和工艺参数代入PIN二极管模型计算其正向导通压降，并将计算结果与器件的实测参数进行了比较．结果表明：小电流区段符合较好；但大电流区段由于模型简化和测试系统寄生串联电阻的影响出现偏差，对于同一导通电流，计算值比实测值约小8％．

主 题 词：绝缘栅双极晶体管 设计 工艺 PIN模型 制作 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0258-2724.2009.05.004

馆 藏 号：203687288...