关联电子材料的自旋态限域调控与自旋电子器件应用研究进展

作     者：孙继荣 张远波 成昭华 孙阳 禹日成 刘邦贵 陈沅沙 殷立峰 肖江 吴骅 王文彬 闵泰 马飞 吴义政 金晓峰 赵海斌 沈健 Sun Jirong;Zhang Yuanbo;Cheng Zhaohua;Sun Yang;Yu Richeng;Liu Banggui;Chen Yuansha;Yin Lifeng;Xiao Jiang;Wu Hua;Wang Wenbin;Min Tai;Ma Fei;Wu Yizheng;Jin iaofeng;Zhao Haibin;Shen Jian

作者机构：中国科学院物理研究所北京100190 复旦大学上海200433 西安交通大学西安710049 

基　　金：国家重点研发计划量子调控与量子信息重点专项(项目编号:2016YFA0300700) 

出 版 物：《中国基础科学》 (China Basic Science)

年 卷 期：2019年第21卷第1期

页      码：28-33,44页

摘      要：关联电子材料具有丰富的自旋序,包括铁磁、反铁磁、亚铁磁、螺旋磁序等,这些自旋序与电子轨道态、电荷空间分布等其他量子态存在强烈耦合,因而可以通过外场来实现不同自旋序的时域和空域调控。相对于存在化学界面的传统异质结构,在关联电子材料中利用外场限域调控,可以实现无化学界面的不同自旋序结构的空间可控排列,从而构筑基于同一材料的新型自旋电子器件。本项目围绕关联电子体系多量子态的调控规律展开,通过自旋电子学与量子物理、表面物理以及电介质物理的交叉,探索具有多场(磁场、电场、光场、应变场)可控性的新型关联自旋电子材料,发展新型的多场调控技术,揭示自旋序与量子态耦合机理,设计新型自旋电子器件,进而实现在同一关联电子材料中集成非挥发性自旋存储与逻辑运算功能。

主 题 词：非冯诺依曼架构 自旋电子学 关联电子材料 非易失性 自旋存储 逻辑运算 

学科分类：0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1009-2412.2019.01.004

馆 藏 号：203688317...