基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响

作     者：余曙芬 陈延湖 李惠军 冯尚功 郭琪 Yu Shu fen;Chen Yan hu;Li Hui jun;Feng Shang gong;Guo Qi

作者机构：山东大学信息科学与工程学院济南250100 

基　　金：山东省自然科学基金资助项目(ZR2010FQ012) 国家自然科学基金资助项目(60806023) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2012年第49卷第2期

页      码：78-82,133页

摘      要：研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响。以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数Φ、集电极电流理想因子η和热阻Rth与基区掺杂浓度NB、基区厚度dB的理论公式。基于TCAD虚拟实验,观测了不同基区掺杂浓度和不同基区厚度分别对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响。结合理论公式,对仿真实验曲线进行了分析。结果表明,基区设计参数对热稳定性有明显的影响,其影响规律不是单调变化的。通过基区外延层参数的优化设计,可以改进多指HBT器件的热稳定性,从而为多指InGaP/GaAs HBT热稳定性设计提供了一个新的途径。

主 题 词：InGaP/GaAs HBT 基区设计 热稳定性 电流增益崩塌 热电反馈系数 集电极电流理想因子 热阻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2012.02.002

馆 藏 号：203688379...