基于忆阻器的神经突触的设计
作者机构:天津职业技术师范大学电子工程学院天津300222 天津职业技术师范大学机械工程学院天津300222
基 金:国家自然科学基金资助项目(51301181) 天津市应用基础与前沿技术研究计划重点项目(15JCZDJC39700) 天津市科技特派员项目(16JCTPJC49500) 天津市高等学校创新团队培养计划资助项目(TD12-5043) 天津职业技术师范大学人才计划资助项目(RC14-53)
出 版 物:《天津职业技术师范大学学报》 (Journal of Tianjin University of Technology and Education)
年 卷 期:2019年第29卷第2期
页 码:33-38页
摘 要:基于忆阻器在电路中具有记忆的特性,借助于PSPICE软件进行忆阻器模型以及基于忆阻器的突触电路的建立与仿真。利用磁控溅射方法在Si衬底上制备NiO忆阻器实物。电学测试结果发现,该忆阻器的电阻随着电压的变化而变化,得到了典型的V-I滞回特性曲线。将NiO忆阻器实物连接到突触的硬件电路中,实物测试结果显示出与基于忆阻器的突触仿真电路同样的LTP效应和LTD效应,进一步证实该硬件电路中存在突触可塑性。
学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学]
D O I:10.19573/j.issn2095-0926.201902007
馆 藏 号:203688591...