用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模

作     者：孙方 侯德胜 冯伯儒 张锦 SUN Fang;HOU De-sheng;FENG Bo-ru;ZHANG Jin

作者机构：中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室四川成都610209 

基　　金：中国科学院重点项目!(AK970 4) 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室基金资助项目!(KF S990 2 ) 

出 版 物：《光电工程》 (Opto-Electronic Engineering)

年 卷 期：2000年第27卷第5期

页      码：27-30页

摘      要：讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究 ,给出了实验结果 ,并与传统光刻方法作了比较。

主 题 词：准分子光刻 相移掩模 图形分辨力 激光光刻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-501X.2000.05.007

馆 藏 号：203688910...