一款超宽带GaAs单片数字移相器

作     者：甄建宇 陈娜 赵瑞华 王凯 韩玉鹏 

作者机构：电子科技大学物理电子学院成都610054 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2013年第38卷第11期

页      码：807-811页

摘      要：分析了单片数字移相器的移相原理，详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构，基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺技术设计并制作了一款超宽带6bit数字移相器。采用ADSMomentum微波设计环境进行了电路仿真，在中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs工艺线上进行了工艺流片并进行了在片测试。测试结果表明，6bit数控移相器在工作频率为8—12GHz时，主要移相态的均方根相位误差（RMS）值小于2．0°，回波损耗小于一11dB，插入损耗为8．0～9．5dB，插损波动为-0．5～0．8dB，控制电压为-5V／0V。6bit数字移相器的电路尺寸为4．1mm×1．5mm，并行输入控制信号，其有效工作带宽达到了40％。

主 题 词：超宽带 砷化镓 单片微波集成电路(MMIC) 数字移相器 均方根误差(RMS) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2013.11.002

馆 藏 号：203689120...