一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器

作     者：周万礼 章玉飞 路统霄 胡怀志 甄少伟 张有润 张波 ZHOU Wanli;ZHANG Yufei;LU Tongxiao;HU Huaizhi;ZHEN Shaowei;ZHANG Yourun;ZHANG Bo

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 

基　　金：“核心电子材料与器件协同创新中心”项目(ICEM2015-1001) 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2019年第19卷第6期

页      码：20-24页

摘      要：光电探测器是激光雷达的核心器件,通常由雪崩光电二极管(APD)阵列和相应的读出电路组成。跨阻放大器是读出电路的关键部分,其性能在很大程度上决定光电探测组件的性能。基于0.18μmCMOS工艺,针对大输入电容线性APD阵列的应用,设计了一种高增益、高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器。基于无源反馈和有源前馈的补偿方式拓展了跨阻放大器带宽,同时实现了高增益和高带宽;设计了具有高电源抑制比的片上无电容低压差稳压器,提高了跨阻放大器的稳定性。仿真结果表明:跨阻增益为104.7dB·Ω,带宽为198.8MHz,等效输入噪声电流为3.65pA·Hz1/2,低频电源抑制比为-57.8dB,全带宽范围内电源抑制比低于-10.6dB。

主 题 词：跨阻放大器 高电源抑制比 高带宽 APD阵列读出电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0606

馆 藏 号：203689472...