0.1～325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模

作     者：徐忠超 刘军 钱峰 陆海燕 程伟 周文勇 XU Zhong-Chao;LIU Jun;Qian Feng;LU Hai-Yan;CHENG Wei;ZHOU Wen-Yong

作者机构：南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室江苏南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室浙江杭州310017 

基　　金：国家自然科学基金(61331006)~~ 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2019年第38卷第3期

页      码：345-350,380页

摘      要：给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好.

主 题 词：在片测试结构 等效电路模型 参数提取 太赫兹 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.11972/j.issn.1001-9014.2019.03.015

馆 藏 号：203689788...