SiC纳米材料的形貌调控及其场发射阴极性能

作     者：谷雨 张玉旗 庞世发 陈明良 Gu Yu;Zhang Yu-qi;Pang Shi-fa;Chen Ming-liang

作者机构：青岛科技大学机电工程学院 

出 版 物：《化工设计通讯》 (Chemical Engineering Design Communications)

年 卷 期：2019年第45卷第6期

页      码：44-44,60页

摘      要：SiC一维纳米材料,具有良好的电子迁移率、稳定性和可制备性,是下一代重要的场发射阴极材料.通过对近年来SiC一维材料制备的研究,发现SiC的主要结构是纳米线/纳米棒、纳米管和纳米阵列,同时提高SiC场发射性能主要通过三种方式:降低微结构顶端的直径、增加发射点的密度、加入元素进行掺杂.

主 题 词：场发射 SiC 纳米 一维材料 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-6490.2019.06.030

馆 藏 号：203690104...