液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究(英文)

作     者：沈大可 韩高荣 杜丕一 ZHANG X.X. SOU I.K. 

作者机构：浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 香港科技大学物理系 

基　　金：Foundationitem:NationalScienceCouncilofPRC(No.59910161981) RGCgrantfromtheHongKongGovernment(No.NSFC/HKUST35) 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2002年第8卷第4期

页      码：335-340页

摘      要：用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性。通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜。室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103。薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω·cm的暗电阻率。频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求。

主 题 词：分子束外延 ZnSSe薄膜 光电特性 液晶光阀 

学科分类：080903[080903] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.002

馆 藏 号：203690512...