Si基光电子学的研究与展望

作     者：彭英才 ZHAO X W 傅广生 王英龙 

作者机构：河北大学电子信息工程学院河北保定071002 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 Department of PhysicsTokyo University of Science1-3 Kagurazaka Shinjuku-ku162-8601TokyoJapan 中国科学院微电子研究中心纳米材料与纳米器件实验室北京100029 河北大学物理科学与技术学院河北保定071002 

基　　金：河北省自然科学基金(503125和500084) 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室和中国科学院微电子研究所资助项目 

出 版 物：《量子电子学报》 (Chinese Journal of Quantum Electronics)

年 卷 期：2004年第21卷第3期

页      码：273-285页

摘      要：Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路。本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科,近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展,并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势。

主 题 词：光电子学 直接带隙Si基低维材料 晶粒有序Si基纳米材料 稳定高效Si基发光器件 全Si 光电子集成 

学科分类：080903[080903] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.001

馆 藏 号：203690874...