具有ITO/Ti3O5薄膜结构的高亮度AlGaInP LED

作     者：孙学智 白继锋 SUN Xuezhi;BAI Jifeng

作者机构：吉林工业职业技术学院吉林吉林132000 南昌凯迅光电有限公司南昌330000 

基　　金：吉林省教育科学“十三五”规划2018年度课题(GH180885) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2019年第39卷第3期

页      码：199-202页

摘      要：采用ITO/Ti3O5薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层、窗口层、电流阻挡层和增透膜层。通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度。通过ITO/Ti3O5增透膜设计提升LED的光提取效率。具有该ITO/Ti3O5薄膜结构的主波长621nm的高亮度AlGaInP LED芯片(150μm×150μm)较传统结构芯片发光强度提升40%,20mA注入电流下,电压均值在2.1V左右。

主 题 词：AlGaInP ITO 电流扩展 肖特基结 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.03.010

馆 藏 号：203692475...