基于电-热-结构耦合模型的硅通孔热力瞬态响应

作     者：邹梦强 苏密勇 余华 ZOU Meng-qiang;SU Mi-yong;YU Hua

作者机构：桂林电子科技大学海洋工程学院桂林536000 桂林电子科技大学电子信息学院桂林536000 

基　　金：国家自然科学基金(51465013) 桂林电子科技大学科学研究基金(UF17055Y)资助 

出 版 物：《科学技术与工程》 (Science Technology and Engineering)

年 卷 期：2019年第19卷第19期

页      码：157-163页

摘      要：为了准确地预测硅通孔(TSV)在电-热-力三场耦合效应下的温度和应力分布情况。建立了TSV的热等效电路(TEC)模型,提取了TSV的热等效电路参数,推导了基于电热耦合效应的TSV温度瞬态响应方程,建立了结构应力的数学模型,研究了周期性方波加载条件下TSV的温度和应力分布,应用有限元软件COMSOL仿真分析了TSV的温度和应力与激励源频率、SiO2层的厚度及铜导体半径之间的关系。仿真结果表明:建立的TEC模型适用于TSV温度瞬态响应的预测,误差在5%以内,TSV的温度和应力对SiO2层的厚度非常敏感,可以通过适当减小铜导体半径来减小TSV的温度和应力,这将有助于TSV的设计及对其性能进行相应的预测。

主 题 词：硅通孔 耦合 热等效电路 温度瞬态响应 应力分布 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203692707...