10 Gbps VCSEL激光器驱动CMOS集成电路

作     者：赵聪 郭迪 潘彦君 龚达涛 孙向明 ZHAO Cong;GUO Di;PAN Yan-jun;GONG Da-tao;SUN Xiang-ming

作者机构：华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室湖北武汉430079 南卫理工会大学物理系德克萨斯达拉斯75275 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(11875145) 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2019年第27卷第13期

页      码：109-113页

摘      要：本设计采用国内GSMC130nmSOICMOS工艺设计了一款10Gbps的激光器驱动芯片。电路核心部分由限幅放大级、输出驱动电路、8bitDAC电路、偏置基准电路等组成。其中,为了在130nm工艺下实现10Gbps速率,限幅放大级采用共享电感并联峰化技术实现带宽拓展,同时兼顾了面积与功耗的考量。该芯片整体面积为2.16mm×1.24mm,采用1.2V电源供电,后仿真结果表明,在典型输入差分200mV、10Gbps的激励信号下,可提供2~8.6mA范围可调调制电流和1~3mA范围可调偏置电流。在典型配置下,输出5mA调制电流和2mA偏置电流,总功耗为51.2mW,输出眼图张开且清晰。性能指标可以满足光纤通信系统和快速以太网的应用。

主 题 词：光纤通信系统 激光器驱动 电感峰化技术 限幅放大级 输出驱动级 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-6236.2019.13.024

馆 藏 号：203692713...