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CMOS像传感器光饱和效应研究

CMOS像传感器光饱和效应研究

作     者:常国龙 Chang Guo-long

作者机构:厦门市产品质量监督检验院福建厦门361004 

基  金:"十一五"国家科技支撑计划重点项目资助 项目编号:2009BAK58B03 

出 版 物:《福建分析测试》 (Fujian Analysis & Testing)

年 卷 期:2011年第20卷第3期

页      码:60-62页

摘      要:图像传感器在光学测量中具有重要作用,随着光源光强的提高,图像传感器处于饱和光强的情况越来越多。因此本文通过采用激光辐照CMOS像传感器的方法,研究了CMOS像传感器的饱和效应,明显观察到高光强使得图像灰度由亮变暗现象。该研究可以为高光强测试以及相机设计及后续图像处理提供参考。

主 题 词:CMOS像传感器 光饱和 成像 激光 

学科分类:080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D O I:10.3969/j.issn.1009-8143.2011.03.015

馆 藏 号:203694385...

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