电化学腐蚀MCP中载流子传输特性作用与影响分析

作     者：任天宇 薛阳 端木庆铎 石晓光 王培翎 张影 李璐璐 

作者机构：长春理工大学吉林长春130012 

基　　金：国家自然基金项目(61077024/F050205) 

出 版 物：《光电技术应用》 (Electro-Optic Technology Application)

年 卷 期：2012年第27卷第2期

页      码：38-42,46页

摘      要：结合半导体能带理论以及电荷传递理论,阐述了电化学刻蚀硅微通道过程中的输运原理;在电化学腐蚀MCP以n-型(100)晶向单晶硅为研究对象,设计实验,找出硅片中载流子的最佳激发波长为850 nm,以磷离子注入工艺制备的欧姆接触层能产生更多的光生空穴,以微通道板几何结构建立模型,模拟微通道尖端结构对载流子的收集情况,发现载流子在尖端聚集,侧壁被钝化保护,使通道沿尖端方向生长,从而分析不同工艺条件对运输特性的作用与影响分析。

主 题 词：硅MCP阵列 光生空穴 输运特性 电化学刻蚀 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 0703[理学-化学类] 070301[070301] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1673-1255.2012.02.012

馆 藏 号：203694485...