一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元

作     者：黄正峰 卢康 郭阳 徐奇 戚昊琛 倪天明 鲁迎春 HUANG Zhengfeng;LU Kang;GUO Yang;XU Qi;QI Haochen;NI Tianming;LU Yingchun

作者机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥230009 安徽工程大学电气工程学院安徽芜湖241000 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61574052) 安徽省自然科学基金资助项目(1608085MF149) 安徽工程大学科研启动基金资助项目(2018YQQ007) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2019年第49卷第4期

页      码：518-523,528页

摘      要：提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上升19.91%,RSNM平均上升97.34%,WSNM平均上升15.37%,全工作状态下均具有较高的静态噪声容限,表现出优秀的稳定性能。虽然面积开销平均增加了9.56%,但是,读时间平均下降14.27%,写时间平均下降18.40%,能够满足高速电子设备的需求。

主 题 词：低功耗 单粒子翻转 SRAM 抗辐照加固设计 稳定性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.180437

馆 藏 号：203697397...