CFETR TF导体的管内压降分析

作     者：温兴毫 李君君 王东全 任勇 刘小刚 王兆亮 高翔 Wen Xinghao;Li Junjun;Wang Dongquan;Ren Yong;Liu Xiaogang;Wang Zhaoliang;Gao Xiang

作者机构：中国科学技术大学合肥230026 中国科学院等离子体物理研究所合肥230031 

基　　金：国家自然科学基金(51777207)资助 

出 版 物：《低温与超导》 (Cryogenics and Superconductivity)

年 卷 期：2019年第47卷第7期

页      码：39-43页

摘      要：目前管内电缆导体(CICC)压降的实验结果都是高空隙率(~35%)下测得的,而CFETR纵向场(Toroidal Field,TF)导体的设计偏向于较小的空隙率(~29%),压降实验数据方面的短缺,使得需要重新考虑目前Katheder关系式能否用于CFETR TF的压降估算。在CFETR TF导体的压降分析中,分别采用了修正的Katheder关系式和多孔介质模型对导体的压降进行比较,获得了更为保守的压降预测。

主 题 词：CFETR 管内电缆导体 摩擦系数 多孔介质模型 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 080704[080704] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16711/j.1001-7100.2019.07.008

馆 藏 号：203697578...