热壁MOCVDHg_（1－x）Cd_xTe中的Hg蒸汽压和分配比

作     者：丁永庆 彭瑞伍 韦光宇 陈记安 李贤春 张玉平 刘克岳 赵振香 

作者机构：中国科学院上海冶金研究所华北光电研究所 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1994年第15卷第4期

页      码：264-267页

摘      要：本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器，避免了二乙基碲（ＤＥＴｅ）与二甲基镉（ＤＭＣｄ）的直接反应，减了预沉积，在Ｔｅ／Ｃｄ比的控制更为准确的条件下重复稳定地获得了ｘ＝０．２响应波长为１０．６μｍ的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料．其中有关组份ｘ值的实验结果首次证明与Ｋｉｓｋｅｒ的热力学模型基本相符．

主 题 词：碲镉汞材料 蒸气压 MOCVD 分配比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203700964...