一种基于Au-In共晶的低温键合技术

作     者：陈明园 秦明 李俊武 CHEN Ming-yuan;QIN Ming;LI Jun-wu

作者机构：东南大学MEMS教育部重点实验室江苏南京210096 

基　　金：国家863计划资助项目(2007AA04Z306) 

出 版 物：《仪表技术与传感器》 (Instrument Technique and Sensor)

年 卷 期：2009年第B11期

页      码：205-207页

摘      要：介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150～300℃下成功地进行了Au-In倒装键合实验。在300℃,0.3 MPa压力下键合的剪切强度达到了5 MPa.

主 题 词：铟凸点 Au-In键合 倒装焊 

学科分类：08[工学] 081101[081101] 0811[工学-水利类] 081102[081102] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-1841.2009.z1.067

馆 藏 号：203702655...