阴极电弧制备TiAlN薄膜工艺参数的正交分析研究

作     者：陈锋光 孙丽丽 成浩 柯培玲 汪爱英 CHEN Feng-guang;SUN Li-li;Cheng Hao;KE Pei-ling;WANG Ai-ying

作者机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所表面工程事业部浙江宁波315201 

基　　金：宁波市自然学基金项目资助(2009A610034) 浙江省重点科技攻关项目(2009C11123) 

出 版 物：《中国表面工程》 (China Surface Engineering)

年 卷 期：2011年第24卷第2期

页      码：41-45页

摘      要：为深入理解不同工艺参数对阴极电弧制备TiAlN薄膜性质的影响重要性,文中设计了L9(34)正交试验表,研究了基体负偏压、N2流量、阴极弧流对TiAlN沉积速率、表面粗糙度的影响,给出了工艺参数优化组合。结果表明:负偏压对TiAlN薄膜的沉积速率影响最大,其次是N2流量、弧流;对表面粗糙度的影响次序则为N2流量、弧流、负偏压。薄膜沉积速率随N2流量的升高而增大,随负偏压增加先增加后降低,随弧流的增大变化不明显。薄膜表面粗糙度随N2流量的升高逐渐减小,随负偏压的增加而增加,随弧流的增大而增大。

主 题 词：正交分析 TiAlN 阴极电弧离子镀 沉积速率 表面粗糙度 

学科分类：080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-9289.2011.02.007

馆 藏 号：203703203...