透明导电银膜光电性能及研究概况

作     者：吕德涛 孙继伟 李克训 许晓丽 

作者机构：中国电子科技集团公司第三十三研究所山西太原 电磁防护材料及技术山西省重点实验室山西太原 

基　　金：装备预研领域基金项目(61409220114) 

出 版 物：《材料科学》 (Material Sciences)

年 卷 期：2019年第9卷第7期

页      码：708-716页

摘      要：伴随着智能电子商品的迅猛发展,寻求一种新的成本低廉的透明导电薄膜来替代ITO薄膜已成为人们的研究热点。网栅银膜和纳米银线薄膜(AgNWs)由于高载流子浓度、高变形伸长率和耐氧化的特点,在微电子、触控等许多领域有广阔的应用前景,成为近年来广泛研究的多功能材料之一。本文介绍了两种透明导电银膜的薄膜结构、制备工艺、光电性能及发展现状,说明了网栅银膜的图形结构设计及不同网栅结构的特点及应用场景,测试对比了两种透明导电银膜的透光率、方阻、电磁屏蔽效能。结果显示纳米压印工艺制备的网栅银膜光电性能最优异,同时该技术自主可控。

主 题 词：网栅银膜 纳米银线薄膜 纳米压印 电磁屏蔽 透明 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.12677/MS.2019.97089

馆 藏 号：203703601...