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亚毫微秒速度高均匀性多元逻辑电路的研制

亚毫微秒速度高均匀性多元逻辑电路的研制

作     者:邹赫麟 魏希文 马平西 

作者机构:大连工学院物理系 

基  金:"七五"国家重点科技攻关项目66-5-17专题 

出 版 物:《大连理工大学学报》 (Journal of Dalian University of Technology)

年 卷 期:1992年第32卷第6期

页      码:644-652页

摘      要:就如何同时实现多元逻辑电路中线性“与或”门的高速和高均匀性进行 了理论分析和实验验证。理论分析给出了平均延迟时间和均匀性的函数表达 式;指出在影响电路速度和均匀性的诸多因素中,复合晶体管的发射结面积 是一个关键因素,并依此进行了样品电路的优化设计和工艺制造。测试结果 表明,单门平均延迟时间为 0.22 ns,功耗延迟积为 0.55 pJ.在输入一致条 件下(0~4 V),各单门电路之间输出不均匀性误差小于等于4 mV.

主 题 词:逻辑电路 高速度 均匀性 DYL 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录:

馆 藏 号:203704747...

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