LEC不掺杂半绝缘GaAs的热处理特性

作     者：梁振宪 罗晋生 

作者机构：中科院西安光机所 西安交通大学微电子所 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：1991年第21卷第1期

页      码：10-15页

摘      要：本文对LEC不掺杂SI-GaAs的热处理特性进行了实验研究和分析。结果表明,As、Ga原子从表面挥发及缺陷的内扩散引起表面热蚀和热致导电层的形成。文章讨论了它们对注入层激活行为的影响。指出,采用本文设计的高温快速热处理结合压盖、InAs作过砷压源技术,可以获得满足注硅材料退火要求的SI-GaAs热处理特性。

主 题 词：LEC 离子注入 绝缘 热处理 GaAs 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203704876...