微纳米SiGe-SOI弯曲波导的设计

作     者：冯松 高勇 薛斌 FENG Song;GAO Yong;XUE Bin

作者机构：西安工程大学理学院西安710048 西安理工大学自动化与信息工程学院西安710048 西安工程大学档案馆西安710048 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61204080) 陕西省教育厅科研计划项目(2013JK1111) 西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128) 陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2015年第35卷第1期

页      码：71-75页

摘      要：在绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)材料的基础上,建立了SiGe-SOI微纳米尺寸的光波导结构模型,选取了损耗较小的S型SiGe-SOI弯曲光波导进行设计,并对其直波导和弯曲波导的模场进行了分析。设计中采用保角变换和三维全矢量BPM算法相结合的方法,对SiGe-SOI弯曲光波导进行了弯曲损耗分析,得到了弯曲半径对弯曲损耗的影响,给出了影响微纳米SiGe-SOI弯曲光波导设计的敏感参数。最后根据理论分析的结果,绘制了不同宽度的光波导版图,制作了微纳米SiGe-SOI弯曲光波导,并对其进行了测试分析,最终实验结果与理论分析一致,从而验证了该设计方法和理论分析的正确性。

主 题 词：光子器件 弯曲光波导 微纳米 锗硅绝缘体上硅 弯曲损耗 

学科分类：0808[工学-自动化类] 070207[070207] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

馆 藏 号：203705148...