Si基长波长GeSiHPT探测器的研制

作     者：毛容伟 李成 成步文 黄昌俊 左玉华 李传波 罗丽萍 滕学恭 余金中 王启明 

作者机构：中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室，北京100083 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2002年第31卷第Z2期

页      码：155-159页

摘      要：随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。

主 题 词：硅基微电子集成电路 异质结光敏晶体管 GeSiHPT探测器 长波长探测器 锗化硅 半导体光电探测器 光通信 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203705902...