考虑量子效应的FinFET栅电容物理模型研究

作     者：高歌 殷树娟 于肇贤 GAO Ge;YIN Shu-juan;YU Zhao-xian

作者机构：北京信息科技大学理学院 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61604014) 北京市教委科技面上项目(71E1810981) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2019年第36卷第8期

页      码：30-33页

摘      要：基于FinFET栅电容结构微观物理特性原理.通过能带结构关系推导了考虑量子效应的栅电容物理模型公式,使用TCAD搭建了FinFET器件结构.通过MATLAB仿真出栅电容随栅电压变化的特性曲线,与理想状态对比得到在反型状态量子效应会使栅电容增大的结论,量子电容成为影响栅电容大小的主导因素,同时分析了不同状态下决定栅电容的因素.仿真了不同拟合参数对特性曲线的影响,为改善晶体管栅电容线性度的研究提供理论依据,提出的栅电容模型对基于FinFET结构的电路设计研究具有了现实意义.

主 题 词：FinFET 量子效应 栅电容 物理模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2019.08.007

馆 藏 号：203706098...