一种无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源(英文)

作     者：周前能 王永生 喻明艳 叶以正 李红娟 Zhou Qianneng;Wang Yongsheng;Yu Mingyan;Ye Yizheng;Li Hongjuan

作者机构：哈尔滨工业大学微电子中心哈尔滨150001 吉林化工学院信控学院吉林132022 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2008年第29卷第8期

页      码：1517-1522页

摘      要：提出一种输出低于1V的、无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源（BGR）.该电路适用于片上电源转换器.用HJTC 0.18μm CMOS工艺设计并流片实现了该带隙基准源,芯片面积（不包括pad和静电保护电路）为0.031mm2.测试结果表明,采用前调制器结构,带隙基准源电路的输出在100Hz与1kHz处分别获得了-70与-62dB的高电源抑制比.电路输出一个0.5582V的稳定参考电压,当温度在0~85℃范围内变化时,输出电压的变化仅为1.5mV.电源电压VDD在2.4~4V范围内变化时,带隙基准输出电压的变化不超过2mV.

主 题 词：CMOS带隙基准 电流源 电源抑制比 预调整器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.020

馆 藏 号：203709346...